Het fluorocarbon-Gebaseerde Plasma die van het hoge Zuiverheidsgas C4F6 99,995% Kleurloos Gas etsen

Hoge zuiverheid C4F6 gas99.995%, Gebruik in op fluorocarbon-Gebaseerd Plasma Ets

Beschrijving:

Het droge de etsgas van HFB, van C4F6 dat het zich in Rusland heeft ontwikkeld. C4F6 laat droge ets bij een lijnbreedte toe van zo smal zoals 90 NM of minder. Het is daarom onontbeerlijk voor verwerkingssysteem LSIs en hoge snelheid, geheugenapparaten met hoge capaciteit die meer en meer in digitale elektrische toestellen en liquide crystale displays worden gebruikt.

Fluorocarbon de gassen worden wijd gebruikt voor het oxydefilm van het verwerkingssilicium. Vergeleken die met octafluorocyclobutane (C4F8) momenteel voor verwerking bij de lijnbreedte wordt gebruikt van 130 NM, heeft C4F6 de volgende voordelen:

1.High beeldverhouding, die in smalle en diepe groeven resulteren (geschikt om bij zeer smalle lijnbreedte te verwerken)

2.High selectiviteit (verzekert ets van slechts de film van het siliciumoxyde; beïnvloedt photoresist, siliciumsubstraat of nitride geen film)

BRANDBESTRIJDINGSmaatregelen

EERSTE HULPmaatregelen

Toepassingen:

1.C4F6 kan als organometallic film gebruiken vormt gassen,

2. Het gas van HFB (C4F6) kan als schoonmakende agenten, de gaszuiveraars van de rookverwerking gebruiken